無錫天之瑞科技向你介紹如何正確進(jìn)行半導(dǎo)體測量？

對于半導(dǎo)體測量而言，雖然在批量生產(chǎn)、實(shí)驗(yàn)室、晶圓等環(huán)節(jié)都需要用到，相關(guān)環(huán)節(jié)也比較復(fù)雜，但是電性能測試則是Z為基本的環(huán)節(jié)。任何半導(dǎo)體器件或模組，在研發(fā)、設(shè)計(jì)及生產(chǎn)過程中，都免不了這一環(huán)節(jié)。

在電性能測試環(huán)節(jié)，目前先 進(jìn)的測試方案就是源測量單元(SMU)。SMU是一種精密電源儀器，具備電壓輸出和測量以及電流輸出和測量功能。這種對電壓和電流的控制使您可以靈活地通過歐姆定律計(jì)算電阻和功率?？赏瑫r(shí)控制與量測高精度電壓、電流，專為消費(fèi)性電子產(chǎn)品、IC設(shè)計(jì)與驗(yàn)證、生醫(yī)、學(xué)術(shù)研究等實(shí)驗(yàn)室提供電性能測試。

半導(dǎo)體測量的分類：按照所測定的特性，這一類半導(dǎo)體測量可分為四個(gè)方面。

（1）幾何尺寸與表面形貌的檢測：如半導(dǎo)體晶片、外延層、介質(zhì)膜、金屬膜，以及多晶硅膜等的厚度，雜質(zhì)擴(kuò)散層和離子注入層以及腐蝕溝槽等的深度，晶體管的基區(qū)寬度，半導(dǎo)體晶片的直徑、平整度、光潔度、表面污染、傷痕等，刻蝕圖形的線條長、寬、直徑間距、套刻精度、分辨率以及陡直、平滑等。

（2）成分結(jié)構(gòu)分析：如襯底、外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的摻雜濃度及其縱向和平面的分布、原始晶片中缺陷的形態(tài)、密度和分布，單晶硅中的氧、碳以及各重金屬的含量，在經(jīng)過各工藝步驟前后半導(dǎo)體內(nèi)的缺陷和雜質(zhì)的分布演變，介質(zhì)膜的基本成分、含雜量和分布、致密度、針孔密度和分布、金屬膜的成分，各步工藝前后的表面吸附和沾污等。

（3）電學(xué)特性：如襯底材料的導(dǎo)電類型、電阻率（包括平面分布和一批晶片之間的離散度）、少數(shù)載流子壽命、擴(kuò)散或離子注入層的導(dǎo)電類型與薄層電阻、介質(zhì)層的擊穿電壓、金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電容特性、氧化層中的電荷和界面態(tài)、金屬膜的薄層電阻、通過氧化層臺階的金屬條電阻、金屬－半導(dǎo)體接觸特性和歐姆接觸電阻、金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管特性等。

（4）裝配和封裝的工藝檢測：如鍵合強(qiáng)度和密封性能及其失效率等。

目前，市場上能夠提供源測量單元(SMU)廠商也不少，相關(guān)產(chǎn)品也有很多。然而，并不是測試儀器越昂貴，測試準(zhǔn)確性就越高。想要真正意義上掌握源測量單元(SMU)，先要清楚誤差產(chǎn)生的原因，以及減小誤差的有.效途徑。

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