隨著技術(shù)發(fā)展，半導(dǎo)體芯片晶體管密度越來(lái)越高，相關(guān)產(chǎn)品復(fù)雜度及集成度呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，這對(duì)于芯片設(shè)計(jì)及開發(fā)而言是前所未有的挑戰(zhàn)。另一方面，隨著芯片開發(fā)周期的縮短，對(duì)于流片的成功率要求非常高，任何一次失敗，對(duì)企業(yè)而言都是無(wú)法承受的。為此，在芯片設(shè)計(jì)及開發(fā)過(guò)程中，需要進(jìn)行充分的驗(yàn)證和測(cè)試。除此之外，半導(dǎo)體制程工藝不斷提升，需要面臨大量的技術(shù)挑戰(zhàn)，測(cè)試和驗(yàn)證也變得更加重要。

與此同時(shí)，新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也進(jìn)一步凸顯半導(dǎo)體測(cè)試的重要性。例如，在國(guó)內(nèi)外廠商的大力推動(dòng)下，5G手機(jī)將會(huì)在2019年出現(xiàn)。隨著通信速度的大幅提升，對(duì)基帶和射頻前端都帶來(lái)前所未有的挑戰(zhàn)。由于需要支持更多的模式，射頻前端也將集成更多的模塊如功率放大器，低噪聲放大器（LNA），雙工器和天線開關(guān)等，并將其封裝在單個(gè)組件中。在研發(fā)設(shè)計(jì)及生產(chǎn)過(guò)程中，測(cè)試就變得非常重要。只有準(zhǔn)確測(cè)量組件的各個(gè)參數(shù)，才能相應(yīng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)方案，及提升產(chǎn)品生產(chǎn)成功率。

如何進(jìn)行半導(dǎo)體測(cè)量？

對(duì)于半導(dǎo)體測(cè)量而言，雖然在批量生產(chǎn)、實(shí)驗(yàn)室、晶圓等環(huán)節(jié)都需要用到，相關(guān)環(huán)節(jié)也比較復(fù)雜，但是電性能測(cè)試則是最為基本的環(huán)節(jié)。任何半導(dǎo)體器件或模組，在研發(fā)、設(shè)計(jì)及生產(chǎn)過(guò)程中，都免不了這一環(huán)節(jié)。

在電性能測(cè)試環(huán)節(jié)，目前先進(jìn)的測(cè)試方案就是源測(cè)量單元(SMU)。SMU是一種精密電源儀器，具備電壓輸出和測(cè)量以及電流輸出和測(cè)量功能。這種對(duì)電壓和電流的控制使您可以靈活地通過(guò)歐姆定律計(jì)算電阻和功率。可同時(shí)控制與量測(cè)高精度電壓、電流，專為消費(fèi)性電子產(chǎn)品、IC設(shè)計(jì)與驗(yàn)證、生醫(yī)、學(xué)術(shù)研究等實(shí)驗(yàn)室提供電性能測(cè)試。

目前，市場(chǎng)上能夠提供源測(cè)量單元(SMU)廠商也不少，相關(guān)產(chǎn)品也有很多。然而，并不是測(cè)試儀器越昂貴，測(cè)試準(zhǔn)確性就越高。想要真正意義上掌握源測(cè)量單元(SMU)，必須首先清楚誤差產(chǎn)生的原因，以及減小誤差的有效途徑。

對(duì)于半導(dǎo)體芯片而言，一次流片的成本高達(dá)數(shù)百萬(wàn)人民幣，測(cè)試儀器參數(shù)的任何微小調(diào)整就有可能產(chǎn)生不同的結(jié)果?？芍^是失之毫厘，差之千里！為此，我們特意為半導(dǎo)體從業(yè)人員準(zhǔn)備了一份源測(cè)量單元(SMU)實(shí)用指南，針對(duì)測(cè)量精度、測(cè)量速度、電線電阻消除、偏移電壓補(bǔ)償、最小化外部噪聲、避免電流泄露以及校準(zhǔn)等環(huán)節(jié)進(jìn)行了具體說(shuō)明，希望對(duì)大家有所幫助。